A Samsung Electronics, líder mundial em tecnologia para módulos de memória, anuncia a produção de memórias de 8GB do tipo RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) baseadas na avançada tecnologia Samsung Green DDR3 DRAM. O novo módulo garante alto desempenho devido ao uso de uma tecnologia de empilhamento tridimensional de chips denominada TSV (through silicon via).

"A Samsung está preparada para atender a demanda do mercado por meio de nossa inovadora tecnologia 3D-TSV, enquanto a indústria segue em frente com os avanços tecnológicos para permitir desempenho e eficiência operacional ainda melhores", afirma Dr. Chang-Hyun Kim, Fellow e VP Sênior da Divisão Memory Product Planning & Application Engineering da Samsung Electronics.

"O novo módulo de 40nm-class representa a introdução de um portfólio eco-friendly 'Green Memory' que utiliza a tecnologia 3D-TSV. Com isso, a Samsung espera reforçar sua liderança neste segmento", completa o executivo.  O RDIMM de 8GB que utiliza a 3D-TSV da Samsung reduz o consumo de energia em até 40% quando comparado a um RDIMM convencional. Além disso, essa tecnologia permite aumento na densidade do chip de memória de 50% e possibilita a diminuição de até 30% nos slots de memória em servidores de última geração.

O chip é projetado para uso em servidores e a técnica desenvolvida pela Samsung é ideal para proporcionar menor consumo de energia, enquanto aumenta a capacidade de memória e aprimora a performance. A empresa espera que a tecnologia 3D-TSV seja amplamente adotada a partir de 2012. Para obter mais informações sobre o Samsung Green DDR3, visite: www.samsung.com/GreenMemory.